Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 89 A 55 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 217-2636
- Tillv. art.nr:
- IRL3705NSTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
163,43 kr
(exkl. moms)
204,29 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 730 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 + | 16,343 kr | 163,43 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-2636
- Tillv. art.nr:
- IRL3705NSTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 89A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 10mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 170W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 98nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 17.79mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Bredd | 4.83mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 89A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 10mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 170W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 98nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 17.79mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Bredd 4.83mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 55 V HEXFET-effekt-MOSFET med enkel N-kanal i en D2-Pak-kapsel.
Plan cellstruktur för bred SOA
Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
<
Ytmonterat kraftpaket enligt industristandard
Högströmsbärande kapacitetspaket (upp till 195 A, beroende på matrisstorlek)
Kan våglöddas
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 89 A 55 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 89 A 55 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 64 A 55 V, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 55 V, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 131 A 55 V, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 55 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 89 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 240 A 55 V, 7 Ben, TO-263, HEXFET