Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 240 A 55 V, 7 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 214-4453
- Tillv. art.nr:
- IRF3805STRL-7PP
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
175,26 kr
(exkl. moms)
219,075 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 240 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 35,052 kr | 175,26 kr |
| 25 - 45 | 30,846 kr | 154,23 kr |
| 50 - 120 | 28,742 kr | 143,71 kr |
| 125 - 245 | 26,99 kr | 134,95 kr |
| 250 + | 24,886 kr | 124,43 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-4453
- Tillv. art.nr:
- IRF3805STRL-7PP
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 240A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.6mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 200nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 300W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 240A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.6mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 200nC | ||
Maximal effektförlust Pd 300W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
This Infineon HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.
It is lead-free
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 240 A 55 V, 7 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 64 A 55 V, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 55 V, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 131 A 55 V, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 89 A 55 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -42 A -55 V, TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 55 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET