Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, CoolMOS CE

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

182,10 kr

(exkl. moms)

227,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 600 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 - 503,642 kr182,10 kr
100 - 2002,804 kr140,20 kr
250 - 4502,623 kr131,15 kr
500 - 12002,442 kr122,10 kr
1250 +2,258 kr112,90 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
217-2585
Tillv. art.nr:
IPU60R1K5CEAKMA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

5A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

IPAK

Serie

CoolMOS CE

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.5Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

9.4nC

Maximal effektförlust Pd

49W

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.73mm

Höjd

2.41mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon CoolMOSTM CE är lämplig för hårda och mjuka omkopplingstillämpningar och som modern superförbindelse ger den låga ledningsförluster och omkopplingsförluster som förbättrar effektiviteten och i slutändan minskar strömförbrukningen. 600 V, 650 V och 700 V CoolMOSTM CE kombinerar den optimala R DS(on) och huset som erbjuder lämpliga laddare med låg effekt för mobiltelefoner och surfplattor.

Smala marginaler mellan typisk och max R DS(on)

Minskad energi som lagras i utgångskapaciteten (E oss)

God kroppsdiodens robusthet och minskad omvänd återvinningsladdning (Q rr)

Optimerad integrerad R g

Relaterade länkar