Infineon N Kanal, MOSFET, 5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, CoolMOS CE
- RS-artikelnummer:
- 217-2585
- Tillv. art.nr:
- IPU60R1K5CEAKMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
207,65 kr
(exkl. moms)
259,55 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 600 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 4,153 kr | 207,65 kr |
| 100 - 200 | 3,196 kr | 159,80 kr |
| 250 - 450 | 2,993 kr | 149,65 kr |
| 500 - 1200 | 2,782 kr | 139,10 kr |
| 1250 + | 2,576 kr | 128,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-2585
- Tillv. art.nr:
- IPU60R1K5CEAKMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Kapseltyp | IPAK | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 9.4nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 49W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 6.22mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.73mm | |
| Höjd | 2.41mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Kapseltyp IPAK | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 9.4nC | ||
Maximal effektförlust Pd 49W | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 6.22mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.73mm | ||
Höjd 2.41mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOSTM CE är lämplig för hårda och mjuka omkopplingstillämpningar och som modern superförbindelse ger den låga ledningsförluster och omkopplingsförluster som förbättrar effektiviteten och i slutändan minskar strömförbrukningen. 600 V, 650 V och 700 V CoolMOSTM CE kombinerar den optimala R DS(on) och huset som erbjuder lämpliga laddare med låg effekt för mobiltelefoner och surfplattor.
Smala marginaler mellan typisk och max R DS(on)
Minskad energi som lagras i utgångskapaciteten (E oss)
God kroppsdiodens robusthet och minskad omvänd återvinningsladdning (Q rr)
Optimerad integrerad R g
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 3.7 A 600 V, 3 Ben, IPAK, 600V CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 4 A 700 V, 3 Ben, IPAK, 700V CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 2.6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 8.4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 10.3 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, CoolMOS CE