Infineon N Kanal, MOSFET, 10.3 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, CoolMOS CE
- RS-artikelnummer:
- 133-9867
- Tillv. art.nr:
- IPAW60R600CEXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 133-9867
- Tillv. art.nr:
- IPAW60R600CEXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) | 10.3 A | |
| Maximal källspänning för dränering (Vds) | 600 V | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Antal ben | 3 | |
| Kapseltyp | TO-220FP | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Framåtriktad spänning (Vf) | 900 mV | |
| Höjd | 16.27 mm | |
| Längd | 11.3 mm | |
| Maximal drain-källresistans (Rds) | 0.6 Ω | |
| Maximal spänning för grindkälla (Vgs) | -30 V, +30 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150 °C | |
| Maximal effektförlust (Pd) | 28 W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40 °C | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Typisk grindladdning (Qg) @ Vgs | 20.5 nC | |
| Bredd | 4.9 mm | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) 10.3 A | ||
Maximal källspänning för dränering (Vds) 600 V | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Antal ben 3 | ||
Kapseltyp TO-220FP | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Framåtriktad spänning (Vf) 900 mV | ||
Höjd 16.27 mm | ||
Längd 11.3 mm | ||
Maximal drain-källresistans (Rds) 0.6 Ω | ||
Maximal spänning för grindkälla (Vgs) -30 V, +30 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150 °C | ||
Maximal effektförlust (Pd) 28 W | ||
Minsta arbetsstemperatur -40 °C | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Typisk grindladdning (Qg) @ Vgs 20.5 nC | ||
Bredd 4.9 mm | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 10.3 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 5 A 600 V, 3 Ben, TO-220FP, CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 15 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, CoolMOS C3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, CoolMOS C3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 2.6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 8.4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS CE
- Infineon 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 15 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, CoolMOS C3