Infineon N Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS 7

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
217-2561
Tillv. art.nr:
IPP60R210CFD7XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-220

Serie

CoolMOS 7

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

210mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

23nC

Maximal effektförlust Pd

64W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

29.95mm

Längd

10.36mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4.57mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon CoolMOS är en revolutionerande teknik för högspänningseffekts-MOSFET, utformad enligt super junction (SJ)-principen och pionjärerad av Infineon Technologies.

Ultrasnabb kroppsdiod

Låg grindladdning

Klassens bästa omvänd återställningsladd (Qrr)

Förbättrad MOSFET-omvänd diod dv/dt och diF/tålighet

Lägsta FOMRDS(on)*Qg och RDS(on)*Eoss

Klassens bästa RDS(on) i SMD- och THD-paket

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.