Infineon N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

182,12 kr

(exkl. moms)

227,64 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 680 enhet(er) från den 13 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 809,106 kr182,12 kr
100 - 1807,286 kr145,72 kr
200 - 4806,827 kr136,54 kr
500 - 9806,379 kr127,58 kr
1000 +5,919 kr118,38 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
217-2543
Tillv. art.nr:
IPN60R360P7SATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

9A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

SOT-223

Serie

IPN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

360mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Framåtriktad spänning Vf

900mV

Maximal effektförlust Pd

111W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

36nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.1mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

8.8mm

Längd

8.8mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon IPN-serien MOSFET, 600 V maximal drain-källspänning, 111 W maximal effektförlust – IPN60R360P7SATMA1


Denna MOSFET är en högspänningsswitch med N-kanal avsedd för ytmonterade krafttillämpningar, som erbjuder förstärkningsläge för kontrollerad ledning i elektroniska kretsar. Den är utformad för att fungera över ett utökat omgivningsområde och gränssnitt via tre stift i ett kompakt SOT-223-paket som är lämpligt för montering på kortnivå.

Funktioner och fördelar:


• 600 V avtappningstolerans möjliggör drift i högspänningssystem
• Kontinuerlig dräneringsström på 9 A stöder måttliga effektbelastningar
• 360 mΩ Rds(on) minimerar ledningsförluster vid nominella förhållanden
• 111 W effektförlust möjliggör hållbar värmehantering
• 36 nC typisk grindladdning underlättar förutsägbart omkopplingsbeteende

Användningsområden


• Lämplig för högspänningskonstruktioner för strömomkoppling
• Idealisk för DC/DC-omvandlarutgångsstegen
• Används med nätaggregat som kräver ytmonterade komponenter
• Kan användas för motordrivkretsomkopplare i styrkretsar
• Lämplig för strömhantering på linjenivå i industriell utrustning

Vilka gränsspänningsgränser måste iakttas under drift?


Grinden får inte överskrida en topp på 20 V i förhållande till källan för att undvika överbelastning.

Vilket temperaturområde kan enheten tåla under drift?


Den är specifik för drift från -40 °C till 150 °C för att täcka lågtemperaturstart och förhöjda driftsförhållanden.

Hur många elektriska anslutningar ger den för kretskortsmontering?


Den har tre elektriska stift och levereras i SOT-223-format för ytmontering.

Vad är det typiska framsteg vid ledning i framåtriktad diodbana?


Framspänningen är specificerad till 0,9 V under testförhållanden i databladet.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.