Infineon N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN
- RS-artikelnummer:
- 217-2543
- Tillv. art.nr:
- IPN60R360P7SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 100 till för att spara 182,00 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
182,12 kr
(exkl. moms)
227,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 680 enhet(er) från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 20 - 80 | 9,106 kr | 182,12 kr | - |
| 100 - 180 | 7,286 kr | 145,72 kr | 182,00 kr |
| 200 - 480 | 6,827 kr | 136,54 kr | 455,80 kr |
| 500 - 980 | 6,379 kr | 127,58 kr | 1 363,50 kr |
| 1000 + | 5,919 kr | 118,38 kr | 3 187,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-2543
- Tillv. art.nr:
- IPN60R360P7SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | IPN | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 360mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 36nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 111W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 8.8mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 8.8mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie IPN | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 360mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal effektförlust Pd 111W | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 8.8mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 8.8mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon IPN-serien MOSFET, 600 V maximal drain-källspänning, 111 W maximal effektförlust – IPN60R360P7SATMA1
Denna MOSFET är en högspänningsswitch med N-kanal avsedd för ytmonterade krafttillämpningar, som erbjuder förstärkningsläge för kontrollerad ledning i elektroniska kretsar. Den är utformad för att fungera över ett utökat omgivningsområde och gränssnitt via tre stift i ett kompakt SOT-223-paket som är lämpligt för montering på kortnivå.
Funktioner och fördelar:
• 600 V avtappningstolerans möjliggör drift i högspänningssystem
• Kontinuerlig dräneringsström på 9 A stöder måttliga effektbelastningar
• 360 mΩ Rds(on) minimerar ledningsförluster vid nominella förhållanden
• 111 W effektförlust möjliggör hållbar värmehantering
• 36 nC typisk grindladdning underlättar förutsägbart omkopplingsbeteende
• Kontinuerlig dräneringsström på 9 A stöder måttliga effektbelastningar
• 360 mΩ Rds(on) minimerar ledningsförluster vid nominella förhållanden
• 111 W effektförlust möjliggör hållbar värmehantering
• 36 nC typisk grindladdning underlättar förutsägbart omkopplingsbeteende
Användningsområden
• Lämplig för högspänningskonstruktioner för strömomkoppling
• Idealisk för DC/DC-omvandlarutgångsstegen
• Används med nätaggregat som kräver ytmonterade komponenter
• Kan användas för motordrivkretsomkopplare i styrkretsar
• Lämplig för strömhantering på linjenivå i industriell utrustning
• Idealisk för DC/DC-omvandlarutgångsstegen
• Används med nätaggregat som kräver ytmonterade komponenter
• Kan användas för motordrivkretsomkopplare i styrkretsar
• Lämplig för strömhantering på linjenivå i industriell utrustning
Vilka gränsspänningsgränser måste iakttas under drift?
Grinden får inte överskrida en topp på 20 V i förhållande till källan för att undvika överbelastning.
Vilket temperaturområde kan enheten tåla under drift?
Den är specifik för drift från -40 °C till 150 °C för att täcka lågtemperaturstart och förhöjda driftsförhållanden.
Hur många elektriska anslutningar ger den för kretskortsmontering?
Den har tre elektriska stift och levereras i SOT-223-format för ytmontering.
Vad är det typiska framsteg vid ledning i framåtriktad diodbana?
Framspänningen är specificerad till 0,9 V under testförhållanden i databladet.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN
- Infineon N Kanal, MOSFET, 10 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN
- Infineon N Kanal, MOSFET, 4 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN
- Infineon N Kanal, MOSFET, 4.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 600 V, 3 Ben, SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6.1 A 950 V, 3 Ben, SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 3 A 650 V, 3 Ben, SOT-223, IPN AEC-Q101