Infineon N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN
- RS-artikelnummer:
- 217-2543
- Tillv. art.nr:
- IPN60R360P7SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
182,12 kr
(exkl. moms)
227,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 680 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 9,106 kr | 182,12 kr |
| 100 - 180 | 7,286 kr | 145,72 kr |
| 200 - 480 | 6,827 kr | 136,54 kr |
| 500 - 980 | 6,379 kr | 127,58 kr |
| 1000 + | 5,919 kr | 118,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-2543
- Tillv. art.nr:
- IPN60R360P7SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | IPN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 360mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal effektförlust Pd | 111W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 36nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Längd | 8.8mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 8.8mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie IPN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 360mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal effektförlust Pd 111W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.1mm | ||
Längd 8.8mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 8.8mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOSTM P7 superjunction (SJ) MOSFET är utformad för att hantera typiska utmaningar på SMPS-marknaden med låg effekt, genom att erbjuda utmärkta prestanda och användarvänlighet, vilket möjliggör förbättrade formfaktorer och priskonkurrenskraft. SOT-223-kapseln är ett kostnadseffektivt en-till-en-drop-in-alternativ till DPAK som också möjliggör minskat fotavtryck i vissa konstruktioner. Den kan placeras på ett typiskt DPAK-fotavtryck och visar jämförbar termisk prestanda.Denna kombination gör CoolMOSTM P7 i SOT-223 perfekt för sina målapplikationer.
Bäst passande prestanda Superjunction-teknik
Kostnadseffektiv förpackningslösning
Klassens bästa pris/prestanda-förhållande
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 600 V, 3 Ben, SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6.1 A 950 V, 3 Ben, SOT-223, IPN AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6.1 A 75 V, 3 Ben, SOT-223, IPN AEC-Q101