Infineon N Kanal, MOSFET, 5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD
- RS-artikelnummer:
- 217-2520
- Tillv. art.nr:
- IPD60R1K5CEAUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 5000 till för att spara 4%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 2500 enheter)*
6 015,00 kr
(exkl. moms)
7 520,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 23 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 2,406 kr | 6 015,00 kr | - |
| 5000 + | 2,286 kr | 5 715,00 kr | 4% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-2520
- Tillv. art.nr:
- IPD60R1K5CEAUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | IPD | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 9.4nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 49W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.73mm | |
| Bredd | 6.22mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 2.41mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie IPD | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 9.4nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal effektförlust Pd 49W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.73mm | ||
Bredd 6.22mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 2.41mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOSTM CE är lämplig för hårda och mjuka omkopplingstillämpningar och som modern superförbindelse ger den låga ledningsförluster och omkopplingsförluster som förbättrar effektiviteten och i slutändan minskar strömförbrukningen. 600 V, 650 V och 700 V CoolMOSTM CE kombinerar den optimala R DS(on) och huset som erbjuder lämpliga laddare med låg effekt för mobiltelefoner och surfplattor.
Smala marginaler mellan typisk och max R DS(on)
Minskad energi som lagras i utgångskapaciteten (E oss)
God kroppsdiodens robusthet och minskad omvänd återvinningsladdning (Q rr)
Optimerad integrerad R g
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD
- Infineon N Kanal, MOSFET, 14.7 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD
- Infineon N Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Förbättring, TO-252, IPD
- Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD
- Infineon N Kanal, MOSFET, 131 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD