Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 214-9086
- Tillv. art.nr:
- IPP100N08S2L07AKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
296,35 kr
(exkl. moms)
370,45 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 365 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 59,27 kr | 296,35 kr |
| 50 - 120 | 55,732 kr | 278,66 kr |
| 125 - 245 | 52,17 kr | 260,85 kr |
| 250 - 495 | 48,608 kr | 243,04 kr |
| 500 + | 45,046 kr | 225,23 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-9086
- Tillv. art.nr:
- IPP100N08S2L07AKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 75V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 182nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 300W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 9.45mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.57mm | |
| Längd | 10.36mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 75V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 182nC | ||
Maximal effektförlust Pd 300W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 9.45mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.57mm | ||
Längd 10.36mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons sortiment erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar CoolMOS-, OptiMOS- och Strong IRFET-familjerna. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Produkten är AEC Q101-kvalificerad
Den har en drifttemperatur på 175 °C
100 % avalanche-testad
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 75 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 6 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 100 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS AEC-Q101