Infineon 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 40 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TISON-8, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 214-8977
- Tillv. art.nr:
- BSC0910NDIATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
120,96 kr
(exkl. moms)
151,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 960 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 12,096 kr | 120,96 kr |
| 50 - 90 | 11,491 kr | 114,91 kr |
| 100 - 240 | 11,245 kr | 112,45 kr |
| 250 - 490 | 10,528 kr | 105,28 kr |
| 500 + | 9,80 kr | 98,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-8977
- Tillv. art.nr:
- BSC0910NDIATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 25V | |
| Kapseltyp | TISON-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 23nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.87V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 10V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Längd | 5mm | |
| Bredd | 6mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 25V | ||
Kapseltyp TISON-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 23nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.87V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 10V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Längd 5mm | ||
Bredd 6mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | ||
Höjd 1.1mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons sortiment av OptiMOS-produkter finns i högpresterande paket för att hantera de mest utmanande applikationerna, vilket ger full flexibilitet i begränsade utrymmen. Dessa Infineon-produkter är utformade för att uppfylla och överträffa kraven på energieffektivitet och effekttäthet i de skärpta nästa generations standarder för spänningsreglering i datortillämpningar. De dubbla OptiMOS MOSFET:erna med N-kanal levereras halogenfria enligt IEC61249-2-21 och blyfri plätering; RoHS-kompatibel.
Monolitisk integrerad Schottky-liknande diod
Optimerad för högpresterande buck-omvandlare
100 % avalanche-testade
Relaterade länkar
- Infineon 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 40 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TISON-8, OptiMOS
- Infineon N Kanal Dubbel, MOSFET, 20 A 55 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 20 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 5 A 55 V Förbättring, 8 Ben, DSO, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Dubbel N Kanal, MOSFET, 18 A 25 V N, 8 Ben, PG-TISON-8, BSC
- Infineon Dubbel N Kanal, MOSFET, 17 A 30 V N, 8 Ben, PG-TISON-8, BSC
- Infineon 2 N Kanal Dubbel, MOSFET och diod, 20 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon 2 N Kanal Dubbel, Effekttransistor, 20 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS AEC-Q101