onsemi N Kanal, MOSFET, 101 A 150 V Förbättring, 4 Ben, TO-263, NTB7D
- RS-artikelnummer:
- 230-9081
- Tillv. art.nr:
- NTB7D3N15MC
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Få en mängdrabatt
Lägg till 20 till för att spara 107,50 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
78,06 kr
(exkl. moms)
97,58 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 760 enhet(er) från den 16 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | 39,03 kr | 78,06 kr | - |
| 20 - 198 | 33,655 kr | 67,31 kr | 107,50 kr |
| 200 + | 29,175 kr | 58,35 kr | 1 971,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 230-9081
- Tillv. art.nr:
- NTB7D3N15MC
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 101A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Serie | NTB7D | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 73mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 53nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 166W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 4.83mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Höjd | 15.88mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 101A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Serie NTB7D | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 73mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 53nC | ||
Maximal effektförlust Pd 166W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 4.83mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Höjd 15.88mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ON Semiconductor MOSFET - N-kanals skärmad grindströmbrytare MOSFET som har en dränering till källspänning på 150 V.
Optimerad omkopplingsprestanda
Max RDS(on) = 7,3 mΩ vid VGS = 10 V, ID = 62 A
Industrins lägsta Qrr och mjukaste kroppsdiod för överlägsen omkoppling med lågt brus
50 % lägre Qrr än andra MOSFET-leverantörer
Hög effektivitet med lägre omkopplingsspik och EMI
Lågt omkopplingsbrus/EMI
Förbättrad omkopplings-FOM, särskilt Qgd
100 % UIL-testad
Inget behov av eller mindre snubber
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 101 A 150 V Förbättring, 4 Ben, TO-263, NTB7D
- onsemi N Kanal, MOSFET, 101 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, NTP
- onsemi N Kanal, MOSFET, 121 A 150 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, NTB
- onsemi N Kanal, MOSFET, 185 A 150 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, NTB
- onsemi N Kanal, MOSFET, 75.4 A 150 V Förbättring, 4 Ben, TO-263, NTB01
- onsemi N Kanal, MOSFET, 139 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, NTB5D0N
- onsemi N Kanal, MOSFET, 92 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 130 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench