Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 20 A 55 V, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 214-4474
- Tillv. art.nr:
- IRLR9343TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
128,28 kr
(exkl. moms)
160,36 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 3 440 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 6,414 kr | 128,28 kr |
| 100 - 180 | 6,093 kr | 121,86 kr |
| 200 - 480 | 5,963 kr | 119,26 kr |
| 500 - 980 | 5,573 kr | 111,46 kr |
| 1000 + | 5,197 kr | 103,94 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-4474
- Tillv. art.nr:
- IRLR9343TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 170mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 79W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 47nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 170mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 79W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 47nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
This Infineon Digital Audio HEXFET is specifically designed for Class-D audio amplifier applications. This MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.
It has repetitive Avalanche Capability for Robustness and Reliability
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal 20 A 55 V TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal -11 A -55 V Förbättring TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal 11 A 55 V Förbättring TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal 31 A 55 V Förbättring TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal 18 A 55 V Förbättring TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal 31 A 55 V TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 89 A 55 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 17 A 55 V HEXFET
