Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 100 V, 3 Ben, DirectFET, DirectFET
- RS-artikelnummer:
- 214-4455
- Tillv. art.nr:
- IRF6645TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
139,89 kr
(exkl. moms)
174,86 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 330 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 13,989 kr | 139,89 kr |
| 50 - 90 | 13,283 kr | 132,83 kr |
| 100 - 240 | 12,723 kr | 127,23 kr |
| 250 - 490 | 12,174 kr | 121,74 kr |
| 500 + | 11,312 kr | 113,12 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-4455
- Tillv. art.nr:
- IRF6645TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 25A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | DirectFET | |
| Serie | DirectFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 35mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 42W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 25A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp DirectFET | ||
Serie DirectFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 35mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximal effektförlust Pd 42W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Denna Infineon Strong IRFET-effekt-MOSFET är optimerad för låg RDS(on) och hög strömförmåga. Den är idealisk för lågfrekvenstillämpningar som kräver prestanda och robusthet.
Den är optimerad för synkron likriktelse
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 100 V, 3 Ben, DirectFET, DirectFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 270 A 40 V, DirectFET, DirectFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 375 A 60 V Förbättring, 15 Ben, DirectFET, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 124 A 100 V, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 217 A 40 V, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 375 A 40 V, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, -160 A -30 V, DirectFET, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 75 V, DirectFET, HEXFET AEC-Q101