Infineon N Kanal, MOSFET, 87 A 30 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

169,34 kr

(exkl. moms)

211,68 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 290 enhet(er), redo att levereras

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 4016,934 kr169,34 kr
50 - 9016,083 kr160,83 kr
100 - 24015,40 kr154,00 kr
250 - 49014,728 kr147,28 kr
500 +13,709 kr137,09 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
214-4451
Tillv. art.nr:
IRF3709ZSTRRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

87A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

7.8mΩ

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

26nC

Maximal effektförlust Pd

79W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Denna Infineon HEXFET MOSFET är optimerad för låg RDS(on) och hög strömkapacitet. Den är idealisk för lågfrekvenstillämpningar som kräver prestanda och robusthet

Den har produktkvalificering enligt JEDEC-standard

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.