Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 3

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

16 060,00 kr

(exkl. moms)

20 075,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 08 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +6,424 kr16 060,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
214-4380
Tillv. art.nr:
IPD530N15N3GATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

21A

Maximal källspänning för dränering Vds

150V

Serie

OptiMOS 3

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

53mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

8.7nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

68W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

6.65mm

Bredd

6.42mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

2.35mm

Fordonsstandard

Nej

Denna Infineon OptiMOS 3 MOSFET är idealisk för högfrekvent omkoppling och synkron likriktering. Den är kvalificerad enligt JEDEC för målanvändning

Den är halogenfri enligt IEC61249-2-21

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.