Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 40 V N, 8 Ben, PQFN, OptiMOS

RS-artikelnummer:: 214-4338
Tillv. art.nr:: BSZ034N04LSATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 40 V N, 8 Ben, PQFN, OptiMOS

Antal (5000 enheter, på en rulle med 5000)*

19 960,00 kr

(exkl. moms)

24 950,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 13 oktober 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	3,992 kr	19 960,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 214-4338
Tillv. art.nr:: BSZ034N04LSATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	40A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Kapseltyp	PQFN
	Serie	OptiMOS
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	4.6mΩ
	Kanalläge	N
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	25nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1V
	Maximal effektförlust Pd	52W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Bredd	3.4mm
	Längd	3.4mm
	Höjd	1.1mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Kapseltyp PQFN
	Serie OptiMOS
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 4.6mΩ
	Kanalläge N
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 25nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1V
	Maximal effektförlust Pd 52W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Bredd 3.4mm
	Längd 3.4mm
	Höjd 1.1mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - BSZ034N04LSATMA1

Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 40 V maximal drain-källspänning, 40 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSZ034N04LSATMA1

Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanals switchtransistor som är utformad för strömomvandling och tillämpningar med hög ström. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är avsedd för kompakta, kortmonterade konstruktioner där låg ledningsförlust och snabb omkoppling krävs.

Funktioner och fördelar:

• Mycket låg påslagningsresistans på 4.6 mΩ minskar ledningsförlusterna
• Hög kontinuerlig dräneringsström 40 A stöder tunga laster
• 40 V drain-source-klassning möjliggör medelspänningseffektsteg
• Typisk grindladdning 25 nC ger snabbare omkopplingsrespons
• Effektförlust på 52 W möjliggör betydande värmehantering
• Gate-source-gränsen 20 V skyddar mot överdriven drivspänning

Användningsområden

• Lämplig för omkopplingssteg för DC/DC-omvandlare
• Idealisk för synkron likriktering i strömförsörjningar
• Används med motordrivna halvbryggskretsar
• Kan användas för batterihantering och strömfördelning
• Lämplig för högströmsmoduler med belastningspunkt

Vilken monteringsmetod kräver den på ett kort?

Den levereras i en PQFN-förpackning för ytmontering som är utformad för lödda kretskortsfästen och värmeledning genom förpackningens jordmönster.

Hur påverkar dess termiska intervall användningen?

Klassad från -55 till 150 °C kan den placeras i miljöer med extrema omgivnings- och förhöjda kopplingstemperaturer, med lämplig termisk design.

Vilka överväganden gäller för gate-drivning vid omkopplingsprestanda?

Med en typisk grindladdning på 25 nC bör konstruktörer tillhandahålla tillräcklig grinddrivarström för att uppnå riktade övergångshastigheter samtidigt som EMI hanteras.

Är den konfigurerad för drift i förstärkningsläge?

Enheten använder ett N-kanalledningsläge som är lämpligt för konfigurationer på låg- och hög-sidan när den parkopplas med lämplig grindstyrning och nivåförskjutning.