DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 91 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMTH10H009LPSQ
- RS-artikelnummer:
- 213-9221
- Tillv. art.nr:
- DMTH10H009LPSQ-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
129,90 kr
(exkl. moms)
162,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 5 590 enhet(er) från den 18 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 12,99 kr | 129,90 kr |
| 50 - 90 | 12,723 kr | 127,23 kr |
| 100 - 240 | 11,357 kr | 113,57 kr |
| 250 - 990 | 11,133 kr | 111,33 kr |
| 1000 + | 9,083 kr | 90,83 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 213-9221
- Tillv. art.nr:
- DMTH10H009LPSQ-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 91A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | DMTH10H009LPSQ | |
| Kapseltyp | PowerDI5060 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 800mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.5W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.15mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 91A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie DMTH10H009LPSQ | ||
Kapseltyp PowerDI5060 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 800mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.5W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.15mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
DiodesZetex DMTH10H009LPSQ-serien är en N-kanal MOSFET som är utformad för att uppfylla de strikta kraven för fordonstillämpningar.
Låg ingångskapacitans
Snabb kopplingshastighet
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 91 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMTH10H009LPSQ
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 20.1 kA 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMTH10
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMTH84M1SPSQ
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 215 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMTH61M8SPS
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 98 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMT6006
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMTH31M7LPSQ