DiodesZetex 1 N Kanal Dubbel, MOSFET, 13 A 30 V Förbättring, 6 Ben, X4-DSN, DMN3006SCA6
- RS-artikelnummer:
- 213-9171
- Tillv. art.nr:
- DMN3006SCA6-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (10 enheter, i en förpackning med 10)*
171,66 kr
(exkl. moms)
214,58 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 17,166 kr | 171,66 kr |
| 50 - 90 | 16,878 kr | 168,78 kr |
| 100 - 240 | 15,042 kr | 150,42 kr |
| 250 - 990 | 14,717 kr | 147,17 kr |
| 1000 + | 12,018 kr | 120,18 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 213-9171
- Tillv. art.nr:
- DMN3006SCA6-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 13A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | DMN3006SCA6 | |
| Kapseltyp | X4-DSN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0048Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17.7nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.95V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.8W | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3.5mm | |
| Standarder/godkännanden | UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020 | |
| Bredd | 1.9mm | |
| Höjd | 0.11mm | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie DMN3006SCA6 | ||
Kapseltyp X4-DSN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0048Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17.7nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.95V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.8W | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3.5mm | ||
Standarder/godkännanden UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020 | ||
Bredd 1.9mm | ||
Höjd 0.11mm | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
DiodesZetex DMN3006SCA6-serien MOSFET är utformad för att minimera påslagningsresistansen, bibehålla överlägsen omkopplingsprestanda vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar.
ESD-skyddad grind
Relaterade länkar
- DiodesZetex 1 N Kanal Dubbel, MOSFET, 13 A 30 V Förbättring, 6 Ben, X4-DSN, DMN3006SCA6
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 4.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, X4-DSN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex 2 N Kanal Dubbel, MOSFET 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8
- DiodesZetex 2 N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 9.1 A 60 V Förbättring, 8 Ben, VDFN
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 9 Ben, X4-DSN1515-9 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET -30 V, X4-DSN1717-4
- DiodesZetex 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 7.6 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex 2 N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 33.2 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060 AEC-Q101