DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 4.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, X4-DSN, DMN AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 222-2838
- Tillv. art.nr:
- DMN3061LCA3-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
71,125 kr
(exkl. moms)
88,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 20 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 475 | 2,845 kr | 71,13 kr |
| 500 - 975 | 2,142 kr | 53,55 kr |
| 1000 - 2475 | 2,097 kr | 52,43 kr |
| 2500 - 4975 | 2,038 kr | 50,95 kr |
| 5000 + | 1,985 kr | 49,63 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-2838
- Tillv. art.nr:
- DMN3061LCA3-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | DMN | |
| Kapseltyp | X4-DSN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 58mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 1.4nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.88W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 0.22mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.04mm | |
| Längd | 0.64mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie DMN | ||
Kapseltyp X4-DSN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 58mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1.4nC | ||
Maximal effektförlust Pd 1.88W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 0.22mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.04mm | ||
Längd 0.64mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
DiodesZetex N-kanalförstärkningsläge MOSFET är utformad för att minimera fotavtrycket i handhållna och mobila tillämpningar. Det kan användas för att ersätta många små signal-MOSFET med riktigt litet fotavtryck.
Låg Qg och Qgd
Litet fotavtryck
Låg profil 0,20 mm höjd
Helt blyfri och helt RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 4.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, X4-DSN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 4.6 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOT-26, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 13 A 30 V Förbättring, 6 Ben, X4-DSN, DMN3006SCA6
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 9 Ben, X4-DSN1515-9 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 9.8 A 12 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSSOP, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 4.8 A 45 V Förbättring, 6 Ben, TSOT, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 5.3 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMN AEC-Q101