DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 2.9 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN2053UW AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 213-9162
- Tillv. art.nr:
- DMN2053UWQ-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 100 enheter)*
184,10 kr
(exkl. moms)
230,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 7 600 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | 1,841 kr | 184,10 kr |
| 200 - 200 | 1,804 kr | 180,40 kr |
| 300 - 400 | 1,77 kr | 177,00 kr |
| 500 - 900 | 1,635 kr | 163,50 kr |
| 1000 + | 1,473 kr | 147,30 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 213-9162
- Tillv. art.nr:
- DMN2053UWQ-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-323 | |
| Serie | DMN2053UW | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 560mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 3.6nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 0.7W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 2.15mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-323 | ||
Serie DMN2053UW | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 560mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.6nC | ||
Maximal effektförlust Pd 0.7W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 2.15mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
DiodesZetex DMN2053UW-serien MOSFET är utformad för att minimera påslagningsresistansen, bibehålla överlägsen omkopplingsprestanda vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar.
Låg ingångskapacitans
Snabb kopplingshastighet
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 2.9 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN2053UW AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 2.9 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 2.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN3060LW AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 2.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN3060LWQ AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 2.7 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN3061SW AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 2.5 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMP2165UW AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 380 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMP31 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 3.1 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN2055UWQ AEC-Q101