DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 400 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN62 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 206-0092
- Tillv. art.nr:
- DMN62D0UWQ-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (3000 enheter, på en rulle med 3000)*
2 001,00 kr
(exkl. moms)
2 502,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 0,667 kr | 2 001,00 kr |
| 9000 - 21000 | 0,649 kr | 1 947,00 kr |
| 24000 + | 0,633 kr | 1 899,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 206-0092
- Tillv. art.nr:
- DMN62D0UWQ-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 400mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-323 | |
| Serie | DMN62 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 320mW | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.8mm | |
| Höjd | 900μm | |
| Längd | 2mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 400mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-323 | ||
Serie DMN62 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Maximal effektförlust Pd 320mW | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.8mm | ||
Höjd 900μm | ||
Längd 2mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
DiodesZetex 60 V N-kanalförstärkningsläge MOSFET är utformad för att uppfylla de strikta kraven för fordonstillämpningar. Den är kvalificerad enligt AEC-Q101, stöds av en PPAP, och är idealisk för användning i motorstyrning och bakgrundsbelysning.
Låg på-resistans
Låg ingångskapacitans
Relaterade länkar
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 400 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN62 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 900 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 950 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMG1012UWQ AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 3.1 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN2055UWQ AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 3.1 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN2055UW AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 2.9 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN2053UW AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 2.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN3060LW AEC-Q101