DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 950 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMG1012UWQ AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 222-2825
- Tillv. art.nr:
- DMG1012UWQ-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
89,25 kr
(exkl. moms)
111,55 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 5 700 enhet(er) från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,785 kr | 89,25 kr |
| 100 - 200 | 0,905 kr | 45,25 kr |
| 250 - 450 | 0,891 kr | 44,55 kr |
| 500 - 950 | 0,807 kr | 40,35 kr |
| 1000 + | 0,782 kr | 39,10 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-2825
- Tillv. art.nr:
- DMG1012UWQ-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 950mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | DMG1012UWQ | |
| Kapseltyp | SOT-323 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 450mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 0.29W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 6V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 2.2mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.35mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 950mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie DMG1012UWQ | ||
Kapseltyp SOT-323 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 450mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 0.29W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 6V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 2.2mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.35mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
DiodesZetex N-kanalförstärkningsläge MOSFET är utformad för att minimera påslagningsresistansen (RDS(ON)) samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar.
Lågt motstånd vid tändning
Låg gate-tröskelspänning
Låg ingångskapacitans
Snabb växlingshastighet
Relaterade länkar
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 950 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMG1012UWQ AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 900 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 400 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN62 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 3.1 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN2055UWQ AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 3.1 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN2055UW AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 2.9 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN2053UW AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 2.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-323, DMN3060LW AEC-Q101