STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 48 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, STWA68N65DM6
- RS-artikelnummer:
- 212-2108
- Tillv. art.nr:
- STWA68N65DM6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 212-2108
- Tillv. art.nr:
- STWA68N65DM6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) | 48 A | |
| Maximal källspänning för dränering (Vds) | 650 V | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Antal ben | 3 | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | STWA68N65DM6 | |
| Maximal drain-källresistans (Rds) | 0.059 Ω | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) 48 A | ||
Maximal källspänning för dränering (Vds) 650 V | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Antal ben 3 | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie STWA68N65DM6 | ||
Maximal drain-källresistans (Rds) 0.059 Ω | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
MDMesh M6 MOSFET N-CH
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converter.
Fast-recovery body diode
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate charge, input capacitance and resistance
100% avalanche tested
Extremely high dv/dt ruggedness
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 48 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, STWA68N65DM6
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 33 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, DM6
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCTW35
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 119 A 650 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCTW90
- IXYS N Kanal, MOSFET, 48 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, X2-Class
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA35N65G2V-4
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 119 A 650 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA90N65G2V-4
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M2