Vishay N Kanal, MOSFET, 137 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR180ADP

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
210-5000
Tillv. art.nr:
SiR180ADP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

137A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SO-8

Serie

SiR180ADP

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

1.8mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

83.3W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

46.2nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

5.26mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.12mm

Längd

6.25mm

Fordonsstandard

Nej

Vishays N-kanal 60 V (D-S) MOSFET har PowerPAK SO-8-kapseltyp.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

Mycket låg RDS - Qg meritfaktor (FOM)

Inställd för den lägsta RDS - Qoss FOM

100 % Rg och UIS-testad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.