Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 130 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR680LDP

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

25 632,00 kr

(exkl. moms)

32 040,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Håller på att utgå
  • Slutlig(a) 3 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +8,544 kr25 632,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
210-5002
Tillv. art.nr:
SIR680LDP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

130A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Serie

SiR680LDP

Kapseltyp

SO-8

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

2.33mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

104W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

90nC

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

6.25mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.12mm

Bredd

5.26 mm

Fordonsstandard

Nej

The Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET has PowerPAK SO-8 package type with 130 A drain current.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Relaterade länkar