Vishay N Kanal, MOSFET, 137 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiDR680ADP
- RS-artikelnummer:
- 204-7258
- Tillv. art.nr:
- SIDR680ADP-T1-RE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
287,84 kr
(exkl. moms)
359,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 13 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 28,784 kr | 287,84 kr |
| 50 - 90 | 22,994 kr | 229,94 kr |
| 100 - 240 | 20,518 kr | 205,18 kr |
| 250 - 490 | 20,003 kr | 200,03 kr |
| 500 + | 19,488 kr | 194,88 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 204-7258
- Tillv. art.nr:
- SIDR680ADP-T1-RE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 137A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | SiDR680ADP | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.88mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 55nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5.9mm | |
| Bredd | 4.9mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 0.51mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 137A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie SiDR680ADP | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.88mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 55nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5.9mm | ||
Bredd 4.9mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 0.51mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishays N-kanal 80 V (D-S) MOSFET har en mycket låg RDS - Qg meritfaktor (FOM) och är inställd för den lägsta RDS - Qoss FOM.
100 % Rg och UIS-testad
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 137 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiDR680ADP
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 137 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR180ADP
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 66.8 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 86 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR826LDP
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 130 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR680LDP
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 71.9 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 146 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET