Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 7.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 50 enheter)*

543,40 kr

(exkl. moms)

679,25 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 900 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per rör*
50 +10,868 kr543,40 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
210-4964
Tillv. art.nr:
SIHA21N80AE-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

7.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

800V

Serie

E

Kapseltyp

TO-220

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

205mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

48nC

Maximal effektförlust Pd

33W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

28.1mm

Höjd

4.3mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

9.7mm

Fordonsstandard

Nej

Effekt-MOSFET i Vishay E-serien har tunnledare TO-220 FULLPAK-kapseltyp med 7,5 A dräneringsström.

Låg meritvärdesberäkning (FOM) Ron x Qg

Låg effektiv kapacitans (Co(er))

Minskade kopplings- och ledningsförluster

Avalanche Energy Rating (UIS)

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.