Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E
- RS-artikelnummer:
- 210-4959
- Tillv. art.nr:
- SIHA15N80AE-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
45,82 kr
(exkl. moms)
57,275 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 + | 9,164 kr | 45,82 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 210-4959
- Tillv. art.nr:
- SIHA15N80AE-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | E | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 304mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 33W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 35nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 4.3mm | |
| Längd | 28.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie E | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 304mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 33W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 35nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 4.3mm | ||
Längd 28.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Vishay E Series Power MOSFET has Thin-Lead TO-220 FULLPAK package type with 6 A drain current.
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Co(er))
Reduced switching and conduction losses
Avalanche energy rated (UIS)
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 7.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 4.4 A 800 V, 3 Ben, TO-220, E
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 2.9 A 800 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, E
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E