Toshiba N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, TK090N65Z
- RS-artikelnummer:
- 206-9726
- Tillv. art.nr:
- TK090N65Z,S1F(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Få en mängdrabatt
Lägg till 10 till för att spara 22%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
193,98 kr
(exkl. moms)
242,48 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 152 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 2 - 8 | 96,99 kr | 193,98 kr | - |
| 10 - 28 | 75,49 kr | 150,98 kr | 22% |
| 30 + | 67,87 kr | 135,74 kr | 30% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 206-9726
- Tillv. art.nr:
- TK090N65Z,S1F(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Toshiba | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 30A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | TK090N65Z | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 90mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 47nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 230W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.7V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 15.94mm | |
| Höjd | 5.02mm | |
| Längd | 40.02mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Toshiba | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie TK090N65Z | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 90mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 47nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 230W | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.7V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 15.94mm | ||
Höjd 5.02mm | ||
Längd 40.02mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Toshibas kisel-N-kanal MOSFET har höghastighetsomkopplingsegenskaper med lägre kapacitans. Den används huvudsakligen i switchade nätaggregat.
Låg dränering-källa påslagningsresistans 0,075?
Förvaringstemperatur -55 till 150 °C
Relaterade länkar
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, TK090N65Z
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, TK090Z65Z
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 30 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 5 Ben, DFN, TK099V65Z
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, TK
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 62 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, TK
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 39 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, TK
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, DTMOSIV