Toshiba N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, TK090N65Z

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 30 enheter)*

1 849,47 kr

(exkl. moms)

2 311,83 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 150 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 +61,649 kr1 849,47 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
206-9725
Tillv. art.nr:
TK090N65Z,S1F(S
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

30A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Serie

TK090N65Z

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

90mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

230W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Framåtriktad spänning Vf

-1.7V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

47nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

15.94mm

Längd

40.02mm

Höjd

5.02mm

Fordonsstandard

Nej

Toshibas kisel-N-kanal MOSFET har höghastighetsomkopplingsegenskaper med lägre kapacitans. Den används huvudsakligen i switchade nätaggregat.

Låg dränering-källa påslagningsresistans 0,075?

Förvaringstemperatur -55 till 150 °C

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.