DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 69.2 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 246-7557
- Tillv. art.nr:
- DMT68M8LPS-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
35,88 kr
(exkl. moms)
44,85 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 520 enhet(er) från den 18 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 + | 3,588 kr | 35,88 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 246-7557
- Tillv. art.nr:
- DMT68M8LPS-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 69.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | PowerDI5060-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0108Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.73W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.15mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 69.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp PowerDI5060-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0108Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.73W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.15mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
DiodesZetex gör en MOSFET med N-kanalförstärkningsläge, utformad för att minimera motståndet i påläge (RDS(ON)) samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar. Det är en grön enhet som är helt fri från bly, halogen och antimon. Denna MOSFET levereras i powerDI5060-8-förpackning. Den erbjuder snabb omkoppling och hög effektivitet. Dess 100 % oklämda induktiva omkoppling säkerställer mer tillförlitlig och robust slutanvändning. Den har ett arbetstemperaturområde på -55 °C till +150 °C.
Maximal dränering till källspänning är 60 V och maximal grind till källspänning är ±20 V Den erbjuder låg påslagningsresistans Den har låg grindströskelspänning Den erbjuder en ESD-skyddad grind
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 69.2 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 170 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 150 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8 AEC-Q101