onsemi N Kanal, MOSFET, 187 A 150 V Förbättring, 8 Ben, MO-299A, NBTLS
- RS-artikelnummer:
- 205-2452
- Tillv. art.nr:
- NTBLS4D0N15MC
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
131,60 kr
(exkl. moms)
164,50 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 65,80 kr | 131,60 kr |
| 20 - 198 | 56,73 kr | 113,46 kr |
| 200 - 998 | 49,17 kr | 98,34 kr |
| 1000 + | 43,23 kr | 86,46 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 205-2452
- Tillv. art.nr:
- NTBLS4D0N15MC
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 187A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | MO-299A | |
| Serie | NBTLS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 316W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 90.4nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 11.58mm | |
| Höjd | 2.2mm | |
| Bredd | 9.2mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 187A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp MO-299A | ||
Serie NBTLS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 316W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 90.4nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 11.58mm | ||
Höjd 2.2mm | ||
Bredd 9.2mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ON Semiconductor MOSFET med en N-kanal har en dränering till källspänning på 150 V och en kontinuerlig dräneringsström på 187 A. Dessa enheter är Pb-fria, halogenfria/BFR-fria och är RoHS-kompatibla.
Drain till källmotståndet är 4,4 mohm
Låg RDS(on) för att minimera ledningsförluster
Låg QG och kapacitans för att minimera drivförluster
Lågt omkopplingsbrus/EMI
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 187 A 150 V Förbättring, 8 Ben, MO-299A, NBTLS
- onsemi N Kanal, MOSFET, 203 A 80 V N, 8 Ben, M0-299A, NBTLS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 187 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB
- onsemi N Kanal, MOSFET, 35 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 12 A 150 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 37.2 A 150 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, NTTFS
- onsemi N Kanal, MOSFET, 40 A 150 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 4.5 A 150 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench