onsemi N Kanal, MOSFET, 37.2 A 150 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, NTTFS
- RS-artikelnummer:
- 221-6750
- Tillv. art.nr:
- NTTFS022N15MC
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
226,02 kr
(exkl. moms)
282,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 03 november 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 22,602 kr | 226,02 kr |
| 100 - 240 | 19,488 kr | 194,88 kr |
| 250 + | 16,89 kr | 168,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 221-6750
- Tillv. art.nr:
- NTTFS022N15MC
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 37.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Serie | NTTFS | |
| Kapseltyp | WDFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 22mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 71.4W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 3.4mm | |
| Höjd | 3.4mm | |
| Bredd | 800μm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 37.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Serie NTTFS | ||
Kapseltyp WDFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 22mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 71.4W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 3.4mm | ||
Höjd 3.4mm | ||
Bredd 800μm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ON Semiconductor industriell effekt-MOSFET i ett 3,3 x 3,3 mm platt ledningspaket utformat för kompakta och effektiva konstruktioner och förbättrar ledningsförlusten.
Låg RDS(on) för att minimera ledningsförluster
Låg kapacitans för att minimera drivförluster
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 37.2 A 150 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, NTTFS
- onsemi N Kanal, MOSFET, 12 A 150 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 40 A 150 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 35 A 150 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 45 A 150 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 22 A 150 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 16 A 150 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 16 A 100 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench