Vishay 4 Dubbel N Kanal, MOSFET, 6 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, SIS9634LDN
- RS-artikelnummer:
- 268-8345
- Tillv. art.nr:
- SIS9634LDN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
62,05 kr
(exkl. moms)
77,55 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 45 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 12,41 kr | 62,05 kr |
| 50 - 95 | 11,132 kr | 55,66 kr |
| 100 - 245 | 8,646 kr | 43,23 kr |
| 250 - 995 | 8,49 kr | 42,45 kr |
| 1000 + | 5,868 kr | 29,34 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 268-8345
- Tillv. art.nr:
- SIS9634LDN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Dubbel N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212-8 | |
| Serie | SIS9634LDN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 60V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, UIS tested 100 percent | |
| Antal element per chip | 4 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Dubbel N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212-8 | ||
Serie SIS9634LDN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 60V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, UIS tested 100 percent | ||
Antal element per chip 4 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishay TrenchFET 4-generations effekt-MOSFET med dubbel N-kanal som är helt bly-pb- och halogenfri enhet. Den är optimerad och förhållandet minskar omkopplingsrelaterad effektförlust och den används i applikationer som synkron likriktering, motordrivningskontroll
RoHS-kompatibel
100-procentigt UIS-testat
Relaterade länkar
- Vishay 4 Dubbel N Kanal, MOSFET, 6 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, SIS9634LDN
- Vishay 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 4 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8 dubbel, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 101 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSF06DN
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel N-kanalig Mosfet, MOSFET, 13.1 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 5.7 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 8.8 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, SIS
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 69.4 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, SIS
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 35 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, Si7615ADN