Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 54 A 60 V Förbättring, 6 Ben, SO-8, SQJ264EP AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 204-7238
- Tillv. art.nr:
- SQJ264EP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
350,12 kr
(exkl. moms)
437,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 26 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | 17,506 kr | 350,12 kr |
| 40 - 80 | 14,006 kr | 280,12 kr |
| 100 - 180 | 12,259 kr | 245,18 kr |
| 200 - 480 | 10,147 kr | 202,94 kr |
| 500 + | 9,447 kr | 188,94 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 204-7238
- Tillv. art.nr:
- SQJ264EP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 54A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | SQJ264EP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 20mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.82V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 9.2nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 48W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 1.07mm | |
| Bredd | 4.37mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 4.9mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 54A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie SQJ264EP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 20mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.82V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 9.2nC | ||
Maximal effektförlust Pd 48W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 1.07mm | ||
Bredd 4.37mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 4.9mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Vishay Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET: er är optimerade för synkrona Buck-tillämpningar. Det är AEC-Q101-kvalificerad.
100 % Rg och UIS-testad
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Relaterade länkar
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 54 A 60 V Förbättring, 6 Ben, SO-8, SQJ264EP AEC-Q101
- Vishay Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs, 8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SQ4940CEY AEC-Q101
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 30 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 7 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 30 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Dubbel N-kanal Kanal, MOSFET-moduler för fordon, 21 A 60 V MOSFET, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Dubbel N-kanal Kanal, MOSFET, 7 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SQ4946CEY AEC-Q101