Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SiHA105N60EF
- RS-artikelnummer:
- 204-7202
- Tillv. art.nr:
- SIHA105N60EF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
247,30 kr
(exkl. moms)
309,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 05 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 49,46 kr | 247,30 kr |
| 25 - 45 | 42,068 kr | 210,34 kr |
| 50 - 120 | 39,604 kr | 198,02 kr |
| 125 - 245 | 36,646 kr | 183,23 kr |
| 250 + | 31,158 kr | 155,79 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 204-7202
- Tillv. art.nr:
- SIHA105N60EF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 29A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | SiHA105N60EF | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 102mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 35W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 53nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.7mm | |
| Längd | 10.3mm | |
| Höjd | 13.8mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 29A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie SiHA105N60EF | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 102mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 35W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 53nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.7mm | ||
Längd 10.3mm | ||
Höjd 13.8mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishays EF-serie effekt-MOSFET med snabb kroppsdiod har en 4:e generationens E-serieteknik. Den har minskade omkopplings- och ledningsförluster.
Låg meritvärdesberäkning (FOM) Ron x Qg
Låg effektiv kapacitans (Co(er)
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SiHA105N60EF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, E
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, SiHG105N60EF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHB105N60EF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, E
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 48 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SiHP052N60EF