onsemi N Kanal, MOSFET, 14 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, NVT AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 202-5750
- Tillv. art.nr:
- NVTFS6H888NLTAG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 202-5750
- Tillv. art.nr:
- NVTFS6H888NLTAG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 14A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | WDFN | |
| Serie | NVT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 50mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 23W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 800μm | |
| Längd | 3.55mm | |
| Höjd | 3.55mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 14A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp WDFN | ||
Serie NVT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 50mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6nC | ||
Maximal effektförlust Pd 23W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 800μm | ||
Längd 3.55mm | ||
Höjd 3.55mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
ON Semiconductor N-kanal MOSFET körs med 14 ampere och 80 volt. Den har ett litet fotavtryck för kompakt design med låg RDS(on) för att minimera ledningsförluster.
AEC Q101-kvalificerade
RoHS-kompatibel
Blyfri
Vätbar flankprodukt
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 14 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, NVT AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 68 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, NVTFS6H850N AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 12 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, NVTFS6H888N AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 44 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, NVTFS6H854N AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 76 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 83 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench