onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 83 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 759-9642
- Tillv. art.nr:
- FDMS86322
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 2 enheter)*
51,63 kr
(exkl. moms)
64,538 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 05 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 25,815 kr | 51,63 kr |
| 20 - 198 | 22,23 kr | 44,46 kr |
| 200 - 998 | 19,265 kr | 38,53 kr |
| 1000 - 1998 | 16,91 kr | 33,82 kr |
| 2000 + | 15,455 kr | 30,91 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 759-9642
- Tillv. art.nr:
- FDMS86322
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 83A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Kapseltyp | WDFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 14mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 104W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 39nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.05mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 83A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie PowerTrench | ||
Kapseltyp WDFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 14mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 104W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 39nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.05mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 83 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 76 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 130 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 122 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 4.4 A 100 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 22 A 150 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench