onsemi N Kanal, MOSFET, 48 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, UltraFET
- RS-artikelnummer:
- 917-5469
- Tillv. art.nr:
- FDMS3572
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
168,90 kr
(exkl. moms)
211,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 09 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 33,78 kr | 168,90 kr |
| 50 - 95 | 29,142 kr | 145,71 kr |
| 100 + | 25,244 kr | 126,22 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 917-5469
- Tillv. art.nr:
- FDMS3572
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 48A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | WDFN | |
| Serie | UltraFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 29mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 78W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 0.75mm | |
| Längd | 5mm | |
| Bredd | 6mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 48A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp WDFN | ||
Serie UltraFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 29mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximal effektförlust Pd 78W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 0.75mm | ||
Längd 5mm | ||
Bredd 6mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor
UItraFET® Trench MOSFET kombinerar egenskaper som möjliggör benchmark-effektivitet i applikationer för effektomvandling. Enheten kan motstå hög energi i lavinläget och dioden uppvisar mycket låg omvänd återhämtningstid och lagrad laddning. Optimerad för effektivitet vid höga frekvenser, lägsta RDS(on), lågt ESR och låg total- och Miller-grindladdning.
Tillämpningar inom högfrekventa DC/DC-omvandlare, switchade regulatorer, motorstyrningar, lågspänningsbusswitchar och strömhantering.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 48 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, UltraFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 250 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, UltraFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 200 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, UltraFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, UltraFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 83 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 68 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, NTTFS6H850N
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 76 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench