STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SiC MOSFET
- RS-artikelnummer:
- 201-4468
- Tillv. art.nr:
- STF16N90K5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
117,15 kr
(exkl. moms)
146,438 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 26 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 58,575 kr | 117,15 kr |
| 20 - 98 | 57,12 kr | 114,24 kr |
| 100 - 198 | 55,775 kr | 111,55 kr |
| 200 + | 52,19 kr | 104,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 201-4468
- Tillv. art.nr:
- STF16N90K5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 15A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 900V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | SiC MOSFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 330mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 29.7nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 30W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.4mm | |
| Höjd | 16mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 15A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 900V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie SiC MOSFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 330mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 29.7nC | ||
Maximal effektförlust Pd 30W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.4mm | ||
Höjd 16mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
STMicroelectronics N-kanal 900 V, 280 mO typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET i ett TO-220FP-paket är baserat på en innovativ proprietär vertikal struktur.
Ultralåg grindladdning
100 % avalanche-testade
Zener-skyddad
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SiC MOSFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, 110 A 900 V Förbättring, 3 Ben, HIP-247-3, STPOWER Gen3 SiC MOSFET AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5.8 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.1 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK-2, SiC MOSFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SiC MOSFET AEC-Q101