Vishay N Kanal, MOSFET, 16 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SQS484CENW AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 200-6851
- Tillv. art.nr:
- SQS484CENW-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
454,85 kr
(exkl. moms)
568,55 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 05 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 9,097 kr | 454,85 kr |
| 100 - 200 | 6,91 kr | 345,50 kr |
| 250 - 450 | 6,373 kr | 318,65 kr |
| 500 - 1200 | 5,002 kr | 250,10 kr |
| 1250 + | 4,733 kr | 236,65 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 200-6851
- Tillv. art.nr:
- SQS484CENW-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 16A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212 | |
| Serie | SQS484CENW | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 11mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 40nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 62.5W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.12mm | |
| Höjd | 3.4mm | |
| Längd | 3.4mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 16A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212 | ||
Serie SQS484CENW | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 11mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 40nC | ||
Maximal effektförlust Pd 62.5W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.12mm | ||
Höjd 3.4mm | ||
Längd 3.4mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Vishay SQS484CENW-T1_GE3 är en fordons-N-kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET.
TrenchFET effekt MOSFET
AEC-Q101-godkänd
100 % Rg och UIS-testad
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SQS484CENW AEC-Q101
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 16 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W, SQS484CENW AEC-Q101
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 58 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SLW, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 141 A -40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SLW AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 110 A -40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SLW AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 101 A -40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SLW AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 141 A -40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8 AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101