Vishay N Kanal, MOSFET, 350 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, SQJA36EP AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
RS-artikelnummer:
200-6822
Tillv. art.nr:
SQJA36EP-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

350A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

SO-8

Serie

SQJA36EP

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

1.24mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

500W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

107nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

1.1mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

4.2mm

Höjd

6.25mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Vishay SQJA36EP-T1_GE3 är en fordons-N-kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

AEC-Q101-godkänd

100 % Rg och UIS-testad

<

egenskaper

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.