onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 200 A 40 V Förbättring, 8 Ben, LFPAK, NVMJS1D5N04CL AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

118,14 kr

(exkl. moms)

147,68 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 2 960 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 +5,907 kr118,14 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
195-2509
Tillv. art.nr:
NVMJS1D5N04CLTWG
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

200A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

NVMJS1D5N04CL

Kapseltyp

LFPAK

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

2.2mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

110W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

70nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

5mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.15mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Automotive Power MOSFET i en 5 x 6 mm platt ledning, dubbel kylpaket utformad för kompakta och effektiva konstruktioner och inklusive hög termisk prestanda. Vätbart flankalternativ tillgängligt för förbättrad optisk inspektion. MOSFET- och PPAP-kapacitet lämplig för fordonstillämpningar.

Litet fotavtryck (5 x 6 mm) för kompakt design

Låg RDS(on) för att minimera ledningsförluster

Låg QG och kapacitet för att minimera drivrutinsförluster

LFPAK8-paket, industristandard

PPAP-kapacitet

Dessa enheter är blyfria

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.