onsemi N Kanal, MOSFET, 71 A 40 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, NVMYS5D3N04C AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 195-2523
- Tillv. art.nr:
- NVMYS5D3N04CTWG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 30 enheter)*
258,51 kr
(exkl. moms)
323,13 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 5 970 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 8,617 kr | 258,51 kr |
| 120 - 270 | 7,429 kr | 222,87 kr |
| 300 + | 6,433 kr | 192,99 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 195-2523
- Tillv. art.nr:
- NVMYS5D3N04CTWG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 71A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | LFPAK | |
| Serie | NVMYS5D3N04C | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 16nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 50W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 5mm | |
| Höjd | 1.15mm | |
| Bredd | 4.25mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 71A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp LFPAK | ||
Serie NVMYS5D3N04C | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 16nC | ||
Maximal effektförlust Pd 50W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 5mm | ||
Höjd 1.15mm | ||
Bredd 4.25mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Automotive Power MOSFET i ett 5 x 6 mm LFPAK-paket utformat för kompakta och effektiva konstruktioner och inklusive hög termisk prestanda. MOSFET- och PPAP-kapacitet lämplig för fordonstillämpningar som kräver förbättrad tillförlitlighet på kortnivå.
Litet fotavtryck (5 x 6 mm) för kompakt design
Låg RDS(on) för att minimera ledningsförluster
Låg QG och kapacitet för att minimera drivrutinsförluster
LFPAK4-paket, industristandard
PPAP-kapacitet
Dessa enheter är blyfria
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 71 A 40 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, NVMYS5D3N04C AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 71 A 40 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, NTMYS5D3N04C
- onsemi N Kanal, MOSFET, 27 A 60 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, NVMYS021N06CL AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 35 A 40 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, NVMYS011N04C AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 38 A 40 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, NVMYS010N04CL AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 133 A 60 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, NVMYS3D3N06CL AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 252 A 40 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, NVMYS1D3N04C AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 49 A 40 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, NVMYS8D0N04C AEC-Q101