STMicroelectronics 1 N Kanal Enkel, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, Mdmesh M6
- RS-artikelnummer:
- 192-4652
- Tillv. art.nr:
- STF18N60M6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 192-4652
- Tillv. art.nr:
- STF18N60M6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Kanaltyp | N | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) | 13 A | |
| Maximal källspänning för dränering (Vds) | 600 V | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Antal ben | 3 | |
| Kapseltyp | TO-220FP | |
| Serie | Mdmesh M6 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Framåtriktad spänning (Vf) | 1.6 V | |
| Höjd | 16.4 mm | |
| Längd | 10.4 mm | |
| Maximal drain-källresistans (Rds) | 280 mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla (Vgs) | 25 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150 °C | |
| Maximal effektförlust (Pd) | 25 W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55 °C | |
| Typ av fäste | Genomgående hål, Genomgående hål | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Typisk grindladdning (Qg) @ Vgs | 16.8 nC | |
| Bredd | 4.6 mm | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Antal element per chip 1 | ||
Kanaltyp N | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) 13 A | ||
Maximal källspänning för dränering (Vds) 600 V | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Antal ben 3 | ||
Kapseltyp TO-220FP | ||
Serie Mdmesh M6 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Framåtriktad spänning (Vf) 1.6 V | ||
Höjd 16.4 mm | ||
Längd 10.4 mm | ||
Maximal drain-källresistans (Rds) 280 mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla (Vgs) 25 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150 °C | ||
Maximal effektförlust (Pd) 25 W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55 °C | ||
Typ av fäste Genomgående hål, Genomgående hål | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Typisk grindladdning (Qg) @ Vgs 16.8 nC | ||
Bredd 4.6 mm | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The new MDmesh™ M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.
Reduced switching losses
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate input resistance
Zener-protected
Relaterade länkar
- STMicroelectronics 1 N Kanal Enkel, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, Mdmesh M6
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 13 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, MDmesh M2
- STMicroelectronics 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MDmesh V effekt-MOSFET, 12 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, MDmesh M5
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 31 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, Mdmesh M6
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 21 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, MDmesh