STMicroelectronics 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, MDmesh

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
103-1999
Tillv. art.nr:
STF13NM60N
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Antal element per chip

1

Kanaltyp

N

Transistorkonfiguration

Enkel

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id)

11 A

Maximal källspänning för dränering (Vds)

600 V

Kanalläge

Förbättring

Antal ben

3

Kapseltyp

TO-220FP

Serie

MDmesh

Höjd

16.4 mm

Längd

10.4 mm

Maximal drain-källresistans (Rds)

360 mΩ

Maximal spänning för grindkälla (Vgs)

25 V, -25 V

Maximal arbetstemperatur

150 °C

Maximal effektförlust (Pd)

25 W

Typ av fäste

Genomgående hål

Bredd

4.6 mm

N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in a TO-220FP package


These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.

All features


  • 100% avalanche tested

  • Low input capacitance and gate charge

  • Low gate input resistance

    • Relaterade länkar

    Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

    E-postadress

    De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.