Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 214-9024
- Tillv. art.nr:
- IPB80N06S2H5ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
250,77 kr
(exkl. moms)
313,46 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 620 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 50,154 kr | 250,77 kr |
| 25 - 45 | 45,158 kr | 225,79 kr |
| 50 - 120 | 42,112 kr | 210,56 kr |
| 125 - 245 | 39,11 kr | 195,55 kr |
| 250 + | 36,602 kr | 183,01 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-9024
- Tillv. art.nr:
- IPB80N06S2H5ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Serie OptiMOS | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons sortiment av OptiMOS-produkter finns i högpresterande paket för att hantera de mest utmanande applikationerna, vilket ger full flexibilitet i begränsade utrymmen. Dessa Infineon-produkter är utformade för att uppfylla och överträffa kraven på energieffektivitet och effekttäthet i de skärpta nästa generations standarder för spänningsreglering i datortillämpningar. Dessa är robusta förpackningar med överlägsen kvalitet och tillförlitlighet.
Produkten är AEC Q101-kvalificerad för fordonsindustrin
100 % avalanche-testad
Den har en drifttemperatur på 175 °C
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 5 80V
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 55 A 80 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 180 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3