STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh
- RS-artikelnummer:
- 168-7535
- Tillv. art.nr:
- STB18NM80
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 1000 enheter)*
25 107,00 kr
(exkl. moms)
31 384,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 28 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 25,107 kr | 25 107,00 kr |
| 2000 + | 24,957 kr | 24 957,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 168-7535
- Tillv. art.nr:
- STB18NM80
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 17A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | MDmesh | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 295mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 190W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 70nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.75mm | |
| Höjd | 4.6mm | |
| Bredd | 10.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 17A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie MDmesh | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 295mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal effektförlust Pd 190W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 70nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.75mm | ||
Höjd 4.6mm | ||
Bredd 10.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MDmeshTM, 800 V/1 500 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MDmesh II effekt-MOSFET, 17 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5.2 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MDmesh effekt-MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STB11NM80
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5.8 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 53 A 300 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh M5