Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 45.1 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiS126DN
- RS-artikelnummer:
- 188-5134
- Distrelec artikelnummer:
- 304-32-534
- Tillv. art.nr:
- SIS126DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
116,03 kr
(exkl. moms)
145,04 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 20 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 11,603 kr | 116,03 kr |
| 100 - 240 | 11,021 kr | 110,21 kr |
| 250 - 490 | 8,344 kr | 83,44 kr |
| 500 - 990 | 7,538 kr | 75,38 kr |
| 1000 + | 6,966 kr | 69,66 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 188-5134
- Distrelec artikelnummer:
- 304-32-534
- Tillv. art.nr:
- SIS126DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 45.1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | SiS126DN | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 12.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 52W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 21.1nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.15mm | |
| Höjd | 1.07mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 45.1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie SiS126DN | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 12.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 52W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 21.1nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.15mm | ||
Höjd 1.07mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanalig 80 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV effekt-MOSFET
Mycket låg RDS x Qg meritvärde (FOM)
Avstämd för lägsta RDS x Qoss FOM
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 45.1 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiS126DN
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 33.7 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiS128LDN
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 55.5 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS30LDN
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 63 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS32ADN
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 54.7 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS30ADN
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, ThunderFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSHA10DN
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 12.3 A 250 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS92DN