Vishay N Kanal, MOSFET, 45.1 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiS126DN
- RS-artikelnummer:
- 188-4886
- Tillv. art.nr:
- SIS126DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 188-4886
- Tillv. art.nr:
- SIS126DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 45.1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212 | |
| Serie | SiS126DN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 12.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 21.1nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 52W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3.15mm | |
| Höjd | 1.07mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 3.15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 45.1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212 | ||
Serie SiS126DN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 12.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 21.1nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 52W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3.15mm | ||
Höjd 1.07mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 3.15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanalig 80 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV effekt-MOSFET
Mycket låg RDS x Qg meritvärde (FOM)
Avstämd för lägsta RDS x Qoss FOM
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 45.1 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiS126DN
- Vishay N Kanal, MOSFET, 30 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, ThunderFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 55.5 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS30LDN
- Vishay N Kanal, MOSFET, 33.7 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiS128LDN
- Vishay N Kanal, MOSFET, 63 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS32ADN
- Vishay N Kanal, MOSFET, 54.7 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS30ADN
- Vishay N Kanal, MOSFET, 30 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 42.3 A 70 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET