Vishay N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SH, SiSHA04DN
- RS-artikelnummer:
- 188-5123
- Tillv. art.nr:
- SISHA04DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (10 enheter, i en förpackning med 10)*
116,03 kr
(exkl. moms)
145,04 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 990 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 11,603 kr | 116,03 kr |
| 100 - 240 | 10,416 kr | 104,16 kr |
| 250 - 490 | 8,982 kr | 89,82 kr |
| 500 - 990 | 7,571 kr | 75,71 kr |
| 1000 + | 6,496 kr | 64,96 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 188-5123
- Tillv. art.nr:
- SISHA04DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212-8SH | |
| Serie | SiSHA04DN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.00215Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 22.5nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -16, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 52W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3.3mm | |
| Bredd | 3.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 0.93mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212-8SH | ||
Serie SiSHA04DN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.00215Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 22.5nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -16, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 52W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3.3mm | ||
Bredd 3.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 0.93mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanalig 30 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET ® Gen IV effekt-MOSFET
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SH, SiSHA04DN
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -104 A -20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SH, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 67.4 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SH, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 33.8 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S
- Vishay N Kanal, MOSFET, 45.3 A 70 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 20 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 185.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 42.3 A 70 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET